IGBT Development Engineer (Senior급)

[포지션] IGBT Development Engineer


[담당업무]
- IGBT 소자 개발
- IGBT 소자 특성 평가 및 분석
- IGBT 소자 & Package Level Reliability Test


[자격요건]
- 학력: 학사이상(전자공학 유사계열), 석사, 박사 선호
- 경력: 7년 이상
- Discrete Device Design 경험
- Discrete Device Test & Reliability Test 경험, Module Test 경험


[우대사항]
- IGBT 개발 경력자 (10년 이상 경력자)
- IGBT 개발/평가 경험자


[근무지]
- R&D 센터 (서초구 양재역)


[전형 절차]
- 서류전형 > 면접(심층기술면접 포함) > 채용확정 및 잡오퍼 제공


[연봉]
- 대기업 수준(업계 최고 수준) 및 인센티브 제공


[복리후생]
- 퇴직금, 교통비, 식비, 경조휴가 및 경조금, 장기근속자 포상금, 명절 선물, 생일 선물 등 제공


[이력서 제출]
- MS-Word 형식 국문이력서(사진, 경력 및 자기소개서 기술) email 주소로 제출


[채용 기업에 대한 추가 정보]

* 국내 주요 반도체 장비사로부터 투자 받은 기업으로 회사 운영 문제 없음
* 현재 구성원들은 양산 경험이 많은 베테랑으로 삼성전자, SK하이닉스 및 DB하이텍 출신 등
* 지원자 공히 1시간 정도 technical oral test 심층 면접 진행
* 기 면접자 피드백에 의하면 "일하고 싶은 좋은회사"로 평가
* 연봉은 대기업 수준(업계 최고 수준)으로 대우, 인센티브 및 복리후생 제공
* 복리후생은 근무에 지장이 없도록 최대한 제공하며 구성원 모두 만족하고 있음
* 시차 출근제도 시행 중 (출근시간: 오전 7시, 8시, 9시 중 선택 가능)
* 충분한 자격이 검증된 인재는 계속 충원 중



[채용담당]
Jerry SOHN 전무,
Recruiting Consultant,
META써치(주)
E. jerry.sohn@metasearch.co.kr