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반도체 소자 개발자

D-1

핵심 정보

경력
경력 5~15년
학력
대졸(4년제) 이상
근무형태
정규직
급여
면접 후 결정
근무지역
서울 서초구
최저임금계산에 대한 알림 하단에 명시된 급여, 근무 내용 등이 최저임금에 미달하는 경우 위 내용이 우선합니다.

상세요강

반도체 소자 개발자

모집부문 및 상세내용

공통 자격요건
ㆍ학력 : 대졸 이상 (4년)
전력용 반도체 연구개발/ Senior IGBT Dev 0명

ㆍ 전력용 반도체 연구개발
[담당업무]
-소자개발

-반도체 설계 및 개발업무
-소자 설계 Tool을 통한 Simulation, Design
-반도체 소자 측정 및 분석
-설계 제품 평가 및 최적화

[자격요건]

ㆍ학사 이상  ( 반도체, 전기/전자 , 물리  )
ㆍ경력 : 5년 ~ 15년 

 [필요역량]

-반도체 소자 설계 및 제품 개발에 필요한 역량 보유자
-Si/SiC/GaN 전력용 반도체 설계 및 개발 업무 경력 또는 지식 보유자
-반도체 개발 관련 Tool ( Layout Drawing, Device simulation ) 역량 보유자
-반도체 소자 측정 및 분석 능력


ㆍ Senior IGBT Development Engineer
[담당업무]

- IGBT 소자개발 /  IGBT 소자 특성 평가 및 분석 

- IGBT 소자 & package Level Reliability test

[자격요건] 

- 학력: 학사이상 (전자공학 유사계열)

- 경력:  5년 ~ 15년

- Discrete Device design 경험 

- Discrete device test & Reliability test 경험, Module test 경험 

[우대사항] 

- IGBT 개발 경력자 (10년 이상 경력자) 

- IGBT 개발/평가 경험자

-석사, 박사 우대

근무조건

근무형태:정규직
근무지역:(06734) 서울 서초구 서운로 8 J-TOWER 3층(서초동) - 서울 3호선 양재 에서 500m 이내

전형절차

  1. 서류전형
  2. 1차면접
  3. 최종합격

접수기간 및 방법

접수기간:2024년 6월 19일 (수) 15시 ~ 2024년 7월 4일 (목) 24시
접수방법:사람인 입사지원
이력서양식:자유양식

유의사항

ㆍ입사지원 서류에 허위사실이 발견될 경우, 채용확정 이후라도 채용이 취소될 수 있습니다.

근무지위치

(06734) 서울 서초구 서운로 8 J-TOWER 3층 서울 3호선 양재역에서 500m 이내

지도 보기

접수기간 및 방법

남은 기간 00 00:00:00
시작일
2024.06.19 15:00
마감일
2024.07.04 23:59
지원방법
접수양식
자유양식
담당자
박종호
연락처
010-4622-3926

마감일은 기업의 사정, 조기마감 등으로 변경될 수 있습니다.

지원자 통계

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경력, 성별, 학력 등의 현황을 확인하세요!

지원자수
1
전력용 반도체 연구개발/ Senior IGBT Dev
1
경력별 현황
신입
0
1년 미만
0
1~3년
1
3~5년
0
5년 이상
0
성별 현황
지원자수
남자
0%
0 명
여자
100%
1 명
연령별 현황
20대
0
30대
1
40대
0
50대
0
60대 이상
0
학력별 현황
고졸이하
0
2~3년제
0
4년제
0
석사
1
박사
0
포트폴리오 및 기타문서 제출
  • 2 경력기술서 1명
1
이력서
1
대표자명
조희정
기업형태
주식회사
업종
시설관리·경비·용역
기업주소
서울 강남구 테헤란로10길 8 녹명빌딩 에이동 5층
기업정보 전체보기

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