전력반도체 SiC, GaN,BCD, eNVM개발 각각 (주임-수석), 충북

[채용회사정보]  

- 파운드리 판도체 전문 중견기업

- 매출액: 1조원,  사원수 : 2,000명, 코스닥상장사

[채용부문 1]  전력반도체 SiC 소자 및 공정개발 (주임-수석)

- SiC MOSFET unit process setup 및 integration

- SiC MOSFET device 평가 및 분석 

* 자격요건

- 대졸이상

- Process integration 경험자

- Discrete power Device 측정 및 분석 가능한자

- SiC MOSFET device design & characterization 경험자 우대

[채용부문 2]  전력반도체 GaN Epi 공정개발  (주임-부장)

- GaN 650V용 GaN Epi Wafer 공정개발
* 자격요건

- 대졸이상

- GaN용 MOCVD Hardware/Software 경험자
- GaN Epi 구조설계 경험자
- GaN Epi quality 분석 경험자
- “GaN on Si” process integration & characterization 경험자 우대
- GaN Epi Wafer 개발 위한 PL, XRD, Hall Data 분석 경험자 우대

[채용부문 3]  전력반도체 BCD 소자개발 (주임-수석)

- BCD 소자개발
- 소자 특성 평가 및 분석
- Process Integration

* 자격요건

- 대졸이상

- Power Device/제품개발 경력, 2년 이상(석사), 4년 이상(학사)
- 소자 Design 및 Process Set-up 유경험자 우대

[채용부문 4]  반도체 BCD기반 eNVM개발 (선임-수석)

* 자격요건

- 학사 이상

- eNVM cell 및 공정개발 / DP-EEPROM IP 개발경력 10년 이상

[근무지] 충북 음성군

[근무여건]

- 연봉:  협의

감사합니다.      (주)피플렙  이 영구전무

삼성전자 반도체총괄, 매그나칩반도체등 반도체업계 임원출신 

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